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場(chǎng)效應(yīng)管和可控硅驅(qū)動(dòng)電路區(qū)別

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   他們的驅(qū)動(dòng)電路是有本質(zhì)上的區(qū)別,首先場(chǎng)效應(yīng)管通常分為結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管和絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管,可控硅通常分為單向可控硅和雙向可控硅(可控硅也叫晶閘管,可分單向晶閘管和雙向晶閘管),其中絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管也叫MOS管(有一種場(chǎng)效應(yīng)管、三極管混合的器件叫IGBT俗稱門控管,該器件的驅(qū)動(dòng)電路與場(chǎng)效應(yīng)管的驅(qū)動(dòng)電路幾乎一樣),這種驅(qū)動(dòng)屬于電壓驅(qū)動(dòng),在大多應(yīng)用在功率輸出、電力變換等場(chǎng)合,要求最好采用PWM(脈寬調(diào)制)信號(hào)來(lái)控制,其輸入到柵極的方波上升沿要求陡峭(也稱圖騰柱輸出),并且要有一定的瞬態(tài)驅(qū)動(dòng)能力(因?yàn)閳?chǎng)效應(yīng)管的柵極等效一個(gè)電容,當(dāng)驅(qū)動(dòng)信號(hào)的瞬態(tài)功率不夠時(shí),其原本的波形將被改變,通常等效為一個(gè)積分器),要求導(dǎo)通時(shí),其柵極電壓要相對(duì)于源極高10-20V左右,典型值15V,而關(guān)斷時(shí)為了保證場(chǎng)效應(yīng)管關(guān)斷可靠,該電壓此時(shí)應(yīng)該為-15V,在實(shí)際應(yīng)用中為了減小場(chǎng)效應(yīng)管的功耗過(guò)大或防止其損壞一般要加如過(guò)流保護(hù)和相關(guān)吸收電路,并且盡量做到場(chǎng)效應(yīng)管的工作頻率與負(fù)載的諧振頻率相同,典型應(yīng)用就是電磁爐,流過(guò)爐盤(加熱線圈)的電流與流過(guò)吸收電容的電流各自雖然都很大,但相位不同,互相抵消,經(jīng)疊加后的總電流較小,即流過(guò)場(chǎng)效應(yīng)管(實(shí)際用IGBT)的電流較小。
  而可控硅屬電流驅(qū)動(dòng),因?yàn)樗刃в趦蓚€(gè)三極管構(gòu)成正反饋放大,當(dāng)有一個(gè)觸發(fā)信號(hào)后,由于強(qiáng)大的正反饋?zhàn)饔茫怪恢睂?dǎo)通,當(dāng)柵極電壓高于陽(yáng)極電壓或者陽(yáng)極、陰極電壓差小于一定數(shù)值時(shí)正反饋才會(huì)失效,即可控硅被復(fù)位,一般情況下,其柵極電壓不會(huì)高于陽(yáng)極,所以可控硅屬于不可關(guān)斷的半控器件,當(dāng)觸發(fā)導(dǎo)通時(shí)無(wú)法通過(guò)柵極關(guān)斷,而場(chǎng)效應(yīng)管屬全控器件可以通過(guò)柵極關(guān)斷。
 

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