一般定義
正向?qū)ǎㄕ颍?br /> 當電流的流動方向為正向時，整流二極管具有較低的電阻。
反向截止（反向）
當電流的流動方向為反向時，整流二極管具有較高的電阻。
陽極（正極）
正向電流的流入的端口。
陰極（負極）
正向電流的流出的端口。
導(dǎo)通電流（正向電流）
正向流過的電流。
正向通態(tài)壓降（正向電壓）
二極管在正向?qū)〞r的電壓差。
截止電流（反向電流，漏電流）
二極管在截止電壓下反向流動的電流。當用示波器或者其他屏幕顯示的測試儀器來測量截止電流
時，在外加反向直流電壓時，它表示為一個曲線。但在外加交流電壓時，因為PN結(jié)的電容效應(yīng)會
對曲線產(chǎn)生影響，隨著電壓的上升或下降，會產(chǎn)生一個正向的或者反向的延遲電流，特性曲線就表
現(xiàn)出分開的兩支。但其最大值是不會受影響。
截止電壓(反向電壓)
在二極管兩極反向連接的電壓。
基本原理
整流二極管是一種兩極元件，一般作為交流變直流的整流器件。
現(xiàn)在電力網(wǎng)絡(luò)整流使用的半導(dǎo)體二極管絕大部分是用單晶硅制造。整流二極管可分為PN結(jié)二極管
和肖特基二極管。通過摻雜可在半導(dǎo)體形成n型半導(dǎo)體和p型半導(dǎo)體，它們的結(jié)合部就形成pn結(jié)。pn
結(jié)具有單向?qū)ㄐ?，這時的二極管就是PN結(jié)二極管。由金屬和半導(dǎo)體形成結(jié)而具有單向?qū)щ娦缘?br /> 二極管是肖特基二極管。
PN結(jié)二極管
一個PN結(jié)二極管是由擁有很多自由空穴載子的高摻雜p型半導(dǎo)體(p+層)，同擁有很多自由電子的高
摻雜n型半導(dǎo)體(n+層)及低摻雜n型半導(dǎo)體(n-層) (也可是本征半導(dǎo)體層i)組成的，其寬度wp和摻雜度
決定了最大截止電壓。在PN結(jié)兩邊因為電子和空穴的再結(jié)合而形成不帶電的離子，這樣就會在PN
結(jié)附近形成一個很薄的層，就是隔離層，在其中沒有自由移動的帶電離子。這些離子會在p-和n-半
導(dǎo)體之間在沒有任何外加電壓時就形成一個電位差。我們稱這個區(qū)間為空間電荷區(qū)。
當在p-硅半導(dǎo)體接負電壓和在n-硅半導(dǎo)體上接正電壓時，在n-硅半導(dǎo)體中自由電子就會被吸到負
極，而p-硅半導(dǎo)體中空穴載子流到正極?？臻g電荷區(qū)就會被加寬，pn結(jié)的電場被增強。二極管被反
向連接，這時幾乎沒有電流流過二極管。
當二極管被反向連接時二極管會有一個很小的反向截止電流。它是因為在空間電荷區(qū)的帶電離子，
通過溫度和輻射得到能量，掙脫了空間電荷區(qū)，流到兩極而形成的電流。
當在p-硅半導(dǎo)體接正電壓和在n-硅半導(dǎo)體上接負電壓時，在n-硅半導(dǎo)體中自由電子就會被壓到空間
電荷區(qū)，而p-硅半導(dǎo)體的空穴載子同樣被壓到空間電荷區(qū)?？臻g電荷區(qū)就會壓縮最后消失。外接的
電流源會不斷提供帶電離子，這時就有電流流過二極管。二極管在導(dǎo)通時被正向連接。
靜態(tài)特性
導(dǎo)通特性
當電壓超過門限電壓(硅材料是0,7伏)時，隨著正向電壓增加，電流很陡上升(見圖2.2.2)。當電流很
大，其值遠遠超過容許的正向電流值時，才變得平坦。在中小電流時正向?qū)妷和瑴囟认禂?shù)成反
比，即在電流為常數(shù)時，溫度越高正向?qū)妷壕驮降?。在大電流時情況正相反。電流流過二極管
會產(chǎn)生損耗(等于電流乘以電壓)，會使二極管變熱，這個熱量就限制二極管的允許正向電流值，因
為過大會燒壞二極管。
截止特性
當二極管被電壓源反向連接時，在開始的幾伏的范圍內(nèi)，截止電流緩慢上升然后基本不變。截止電
流受溫度影響很大并隨著溫度的升高而提高，特別是肖特基二極管。這時出現(xiàn)的損耗(等于截止電流
乘以截止電壓)在實際應(yīng)用中很小，以致可以忽略(肖特基二極管列外)。
當提高外接電壓就會進入穿透區(qū)，(見圖2.2.2)，截止電流上升很陡。這時就會出現(xiàn)齊納效應(yīng)和雪崩
效應(yīng)。
齊納效應(yīng)
在二極管中摻雜度很高的n-半導(dǎo)體構(gòu)成空間電荷區(qū)中，當其電場很高時，以致是能把硅原子的電子
拽掉，成為自由帶電離子，這時電流上升很陡，這就是齊納效應(yīng)。這時的電壓被稱為齊納電壓，它
同溫度成反比。只有當空間電荷區(qū)的電場很高時才出現(xiàn)齊納效應(yīng)。它反映在二極管上就是相對較低
的反向擊穿電壓。一般為5,7V。對再高的反向擊穿電壓就會出現(xiàn)雪崩效應(yīng)。
雪崩效應(yīng)
通過加溫和輻射可在空間電荷區(qū)產(chǎn)生帶電離子(電子和空穴)。當它們在空間電荷區(qū)被很強大的電場
加速，并同其他原子碰撞而產(chǎn)生新的帶電離子。這時帶電離子的數(shù)量如同雪崩一樣增加，同樣反向
截止電流也快速上升。這就是雪崩效應(yīng)。這時的電壓同溫度成正比，既隨著溫度的升高而升高。當
反向擊穿電壓大于5,7V時，都應(yīng)看成是雪崩效應(yīng)。但在實際中常常把雪崩二極管錯看成是齊納二極
管。它一定要按照給出的參數(shù)數(shù)據(jù)，并在規(guī)定的條件范圍內(nèi)使用。
動態(tài)特性
開通特性
在二極管進入開通狀態(tài)時，兩端的電壓會上升到開啟峰值VFRM。當n-型半導(dǎo)體內(nèi)被帶電離子充滿
時，電壓開始回降到靜態(tài)導(dǎo)通電壓VF(見圖2.2.4)。開啟時間(正向恢復(fù)時間)一般在100ns。當電流
上升的越陡和n-型半導(dǎo)體的寬度越寬，開啟峰值VFRM就越高，它有時會超過300V。
PN結(jié)二極管
在導(dǎo)通狀態(tài)下，二極管內(nèi)充滿了電子和帶電空穴。當電源反接時，在沒有達到反向截止電壓前，二
極管反向?qū)?。通過反向電流和電子與空穴的再結(jié)合，帶電離子不斷減少。當所有的在pn結(jié)的自由
帶電離子全部消失，二極管就進入截止狀態(tài)和承受反向截止電壓，反向電流達到反向峰值IRRM，
并隨后開始降低。