一般定義
正向，開關(guān)方向
當(dāng)晶閘管在兩個(gè)穩(wěn)定的狀態(tài)，既截止和導(dǎo)通狀態(tài)時(shí)，電流流入的方向。
反向
與正向相反的方向。
導(dǎo)通狀態(tài)
是晶閘管的一個(gè)工作狀態(tài)，這時(shí)直流阻抗在一個(gè)工作點(diǎn)或工作點(diǎn)范圍內(nèi)最小。
截止?fàn)顟B(tài)
是晶閘管的一個(gè)工作狀態(tài)，這時(shí)直流阻抗在一個(gè)工作點(diǎn)或工作點(diǎn)范圍內(nèi)最大。
陽極（正極）
正向電流的流入的主要端口。
陰極（負(fù)極）
正向電流的流出的主要端口。
控制極，柵極
控制電流流入的端口。外部控制設(shè)備一般連接?xùn)艠O和陰極，所以一些較大的晶閘管有兩個(gè)陰極接
口。
正向電流
通過主要端口正向流過的電流
反向電流
通過主要端口反向流過的電流。
導(dǎo)通電流
在導(dǎo)通工作狀態(tài)下在主要端口間流通的電流。
截止電流
在截止工作狀態(tài)下在主要端口間流通的電流。當(dāng)用示波器或者其他屏幕顯示的測試儀器來測量截止
電流時(shí)，在接反向直流電壓時(shí)，它表示為一個(gè)曲線。但在交流電壓條件下，因?yàn)镻N結(jié)的電容效應(yīng)
會對曲線產(chǎn)生影響，隨著電壓的上升或下降，會產(chǎn)生一個(gè)正向的或者反向的延遲電流，特性曲線就
表現(xiàn)出分開的兩支。但其最大值是不會受到影響。見圖2.2.1。
正向電壓
在主要端口間的正向電壓差。
反向電壓
在主要端口間的反向電壓差。
導(dǎo)通電壓
在導(dǎo)通的工作狀態(tài)下，在主要端口間的正向電壓差
截止電壓
在截止的工作狀態(tài)下，在主要端口間的正向電壓差。
激發(fā)電壓
在沒有控制電流時(shí)，加在主要端口間的正向電壓能使晶閘管進(jìn)入導(dǎo)通工作狀態(tài)的電壓值。
控制電流
從控制柵極流入的電流。流入時(shí)電流為正值。
控制電壓
控制柵極和陰極的電壓差。當(dāng)柵極電位高于陰極時(shí)，電壓為正值。
基本原理
晶閘管是一個(gè)至少含有三個(gè)PN結(jié)，并能從截止工作狀態(tài)到導(dǎo)通工作狀態(tài)轉(zhuǎn)換的半導(dǎo)體元器件。有
時(shí)它也會被稱為反向截止晶閘管，它反向是不能被開通而只是在截止?fàn)顟B(tài)下。相對二極管晶閘管還
多一個(gè)可使晶閘管進(jìn)入導(dǎo)通狀態(tài)的控制柵極(柵極)
晶閘管是由四個(gè)交替n-型和p-型半導(dǎo)體組成的。中間的n-型和p-型半導(dǎo)體構(gòu)成正向和反
向的高截止PN結(jié)。鈍化環(huán)(在這里是石英鈍化環(huán))必須固定兩個(gè)PN結(jié)。我們可以把晶閘管分解成一
個(gè)npn晶體管和一個(gè)pnp晶體管來理解。
當(dāng)陰極接負(fù)電壓，陽極接正電壓，并有一個(gè)控制電流從柵極流向陰極時(shí)，電子就注入陰極，也就是
npn晶體管的發(fā)射極。柵極電流被npn晶體管放大。一部分電子會流到低摻雜度的n-區(qū)，它同樣是
npn晶體管的收集極和pnp晶體管的基極。這個(gè)電流在pnp晶體管中再次被放大并傳送到npn晶體
管的基極。這種內(nèi)部的緊密耦合決定了晶閘管的功能特性。
晶體管的電流放大倍數(shù)是同電流有關(guān)系。當(dāng)基極電流正好是使放大倍數(shù)大于1時(shí)，即αnpn + αpnp ≥ 1，
晶閘管被激發(fā)，也就是說晶閘管進(jìn)入導(dǎo)通工作狀態(tài)。在基極的一個(gè)很小的電流脈沖（比如10 μs的
脈沖）就能使晶閘管激發(fā)導(dǎo)通。當(dāng)脈沖結(jié)束時(shí)，流過晶閘管的電流大于閉鎖電流IL時(shí)，晶閘管保持
導(dǎo)通狀態(tài)。當(dāng)電流低于保持電流IH時(shí)，晶閘管進(jìn)入正向截止?fàn)顟B(tài)。
靜態(tài)特性
導(dǎo)通特性
晶閘管的導(dǎo)通特性相似二極管。當(dāng)正向電壓超過門限電壓時(shí)，導(dǎo)通電流隨著正向電壓的升高而增加
。當(dāng)電流很大，遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過允許的導(dǎo)通電流時(shí)，才變得比較平坦。在中小電流區(qū)域，導(dǎo)通
電壓同溫度成反比，既在一定的導(dǎo)通電流時(shí)，導(dǎo)通電壓隨著溫度的升高而降低。在較大的電流區(qū)域
正相反。導(dǎo)通時(shí)的電流產(chǎn)生損耗(導(dǎo)通電流乘以導(dǎo)通電壓)，這種損耗使晶閘管發(fā)熱。這個(gè)發(fā)熱會限
制正向電流，當(dāng)它過大時(shí)會損壞晶閘管。
截止特性
當(dāng)晶閘管的電壓源反向連接時(shí)，在開始的幾伏的范圍內(nèi)，截止電流緩慢上升然后基本不變。截止電
流受溫度影響很大，并隨著溫度的升高而提高。當(dāng)提高外接電壓就會進(jìn)入穿透區(qū)，截
止電流上升很陡。這時(shí)就會出現(xiàn)雪崩效應(yīng)。
當(dāng)在晶閘管上加一個(gè)正向的電壓時(shí)，在開始階段晶閘管不導(dǎo)通，如同截止?fàn)顟B(tài)。當(dāng)電壓上升到超過
開啟電壓，晶閘管就進(jìn)入導(dǎo)通狀態(tài)，晶閘管會保持這種狀態(tài)，直到流過晶閘管的電流小于保持電流
時(shí)。截止電流在正向的外接電壓時(shí)，隨著溫度而變化，不同的晶閘管有完全不同的溫度變化。大多
數(shù)的晶閘管在較高溫度時(shí)的截止電流大于反向截止電流?；镜脑蚴撬鳛榛鶚O電流被npn晶體
管所放大。較大的正向截止電流不會影響晶閘管的性能和可靠性，它不是一種質(zhì)量缺陷。這時(shí)產(chǎn)生
的功耗很小，在計(jì)算整體損耗時(shí)可以忽略不計(jì)。
動(dòng)態(tài)特性
開通特性
基極電流導(dǎo)致開通導(dǎo)通
基極電流首先導(dǎo)致晶閘管導(dǎo)通，它發(fā)生在基極電流密度最高的截面上，然后再以相對較慢的速度的
向外擴(kuò)展(每微秒傳播30到100微米)。既當(dāng)晶閘管的直徑在100mm時(shí)，需要大概1千微秒才能全部
導(dǎo)通。
當(dāng)晶閘管剛被激發(fā)導(dǎo)通時(shí)，導(dǎo)通面積很小，電壓在全部導(dǎo)通時(shí)在才會回落到靜態(tài)值VF，所以在剛開
通時(shí)，開通損耗集中在很小的面積內(nèi)，這就會使硅片發(fā)熱。為了保護(hù)晶閘管不被燒壞，必須把電流
上升的速度限制在允許的規(guī)定范圍(di/dt)cr內(nèi)。
在對一些大型的晶閘管，允許的電流上升速度(di/dt)cr可以通過輔助晶閘管(導(dǎo)向晶閘管)來提高。利
用一個(gè)較小的晶閘管，其陰極同主要晶閘管的柵極相連，所以主要晶閘管的激發(fā)電流就會被放大。
主要晶閘管的激發(fā)的能量是從主要電流環(huán)路中得到，我們稱之為內(nèi)部放大晶閘管。